半导体检测主要是对工艺过程中半导体体内、表面和附加其上的介质膜、金属膜、多晶硅等结构的特性进行物理、化学和电学等性质的测定。按照所测定的特性，这一类检测可分为四个方面。
(1)几何尺寸与表面形貌的检测：如晶片、外延层、介质膜、金属膜以及多晶硅膜等的厚度,杂质扩散层和离子注入层以及腐蚀沟槽等的深度，晶体管的基区宽度，晶片的直径、平整度、光洁度、表面污染、伤痕等，刻蚀图形的线条长、宽、直径间距、套刻精度、分辨率以及陡直、平滑等。
(2)半导体检测关于成分结构分析：如衬底、外延层、扩散层和离子注入层的掺杂浓度及其纵向和平面的分布、原始晶片中缺陷的形态、密度和分布，单晶硅中的氧、碳以及各种重金属的含量，在经过各种工艺步骤前后半导体内的缺陷和杂质的分布演变，介质膜的基本成分、含杂量和分布、致密度、针孔密度和分布、金属膜的成分，各步工艺前后的表面吸附和沾污等。
(3)电学特性：如衬底材料的导电类型、电阻率、少数载流子寿命、扩散或离子注入层的导电类型与薄层电阻、介质层的击穿电压、氧化层中的电荷和界面态、金属膜的薄层电阻、通过氧化层台阶的金属条电阻、金属—氧化物—半导体晶体管特性等。
(4)半导体检测关于装配和封装的工艺检测：如键合强度和密封性能及其失效率等。
