GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法

标准号：GB/T 14141-2009
中文标准名称：硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
英文标准名称：Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
标准类型：H80
发布日期：2009/10/30 12:00:00
实施日期：2010/6/1 12:00:00
中国标准分类号：H80
国际标准分类号：29.045
引用标准：GB/T 1552-1995;GB/T 11073-2007
适用范围：本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω～5000Ω。该方法也可以适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。