YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法

标准号：YS/T 679-2008
中文标准名称：非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
英文标准名称：Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-state surface photovoltage
标准类型：H80
发布日期：2008/3/12 12:00:00
实施日期：2008/9/1 12:00:00
中国标准分类号：H80
国际标准分类号：29.045
引用标准：GB/T 1552;GB/T 1553;GB/T 6616;GB/T 6618;GB/T 11446.1;GB/T 14264;GB/T 14847
适用范围：1.1 本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于 4 倍的扩散长度。1.2 本标准是为单晶硅样品的应用而开发的，可用于测量其他半导体，如砷化镓（同时调整相应的光照波长（能量）范围和样品的制备工艺）上的有效扩散长度和评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品上有效扩散长度。本标准也可用于硅片的洁净区的宽度测定。1.3 本标准对样品的电阻率和寿命的应用*限尚未确定，但已经成功的对电阻率（0.l～50）Ω·cm 、载流子寿命短至 2ns 的 p 和 n 型硅样品进行了测量。本标准测量的扩散长度仅在室温22℃±0.5℃下进行，寿命和扩散长度是温度的函数。