标准号：GB/T 14863-2013
中文标准名称：用栅控和非栅控二*管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
英文标准名称：Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
标准状态：废止
发布日期：2013-12-31
实施日期：2014-08-15
中国标准分类号：H80
国际标准分类号：29.045
归口单位：工业和信息化部（电子）
GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法 废止
百检网 2021-07-16
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