标准号：ASTM F996-2010
中文标准名称：利用亚阈值安伏特性分离由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移的标准试验方法
英文标准名称：Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics
标准类型：L42
发布日期：1999/12/31 12:00:00
实施日期：1999/12/31 12:00:00
中国标准分类号：L42
ASTM F996-2010 利用亚阈值安伏特性分离由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移的标准试验方法
百检网 2021-08-03
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