标准号：NB/T 32032-2016
中文标准名称：半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法
英文标准名称：Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)
标准状态：现行
标准类型：国标计划
发布日期：1999/12/31 12:00:00
实施日期：1999/12/31 12:00:00
中国标准分类号：西安紫光国芯半导体有限公司
国际标准分类号：31.200
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门：工业和信息化部（电子）
起草单位：中国电子技术标准化研究院
起草人：孔宪伟
相近标准：GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法; 半
标准制修订：制订
NB/T 32032-2016 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法 现行
百检网 2021-08-06
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