20065633-T-469 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法已发布

百检网 2021-08-06

标准号：20065633-T-469
中文标准名称：硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法
英文标准名称：Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
标准状态：已发布
标准类型：国标计划
发布日期：1999/12/31 12:00:00
实施日期：1999/12/31 12:00:00
中国标准分类号：宁波立立电子股份有限公司
国际标准分类号：29.045
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草单位：南京国盛电子有限公司
起草人：唐有青
相近标准：GB/T 14146-1993 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法;GB/T 14146-2009 硅外延层载流子
标准制修订：修订

百检能给您带来哪些改变？

1、检测行业全覆盖，满足不同的检测；

2、实验室全覆盖，就近分配本地化检测；

3、工程师一对一服务，让检测更精准；

4、免费初检，初检不收取检测费用；

5、自助下单快递免费上门取样；

6、周期短，费用低，服务周到；

7、拥有CMA、CNAS、CAL等权威资质；

8、检测报告权威有效、中国通用；

客户案例展示

上一篇《20068555-T-604 》

下一篇《DB53/T 170.2-2006 东川区脱毒马铃薯生产技术规程第2部分:病虫害防治》

版权与免责声明

①本网注名来源于“互联网”的所有作品，版权归原作者或者来源机构所有,如果有涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起一个月内与本网联系，联系邮箱service@baijiantest.com，否则视为默认百检网有权进行转载。

②本网注名来源于“百检网”的所有作品，版权归百检网所有，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。想要转载本网作品，请联系:service@baijiantest.com。已获本网授权的作品，应在授权范围内使用，并注明"来源：百检网"。违者本网将追究相关法律责任。

③本网所载作品仅代表作者独立观点，不代表百检立场，用户需作出独立判断，如有异议或投诉，请联系service@baijiantest.com

最新资讯