详细信息
主要技术指标：
主要用于溅射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW、Pd、Pt、Zn等金属薄膜，AlN、SiO2等介质薄膜 *限真空：7E-8 Torr（ 30分钟从 atm 抽到 5E-6 Torr ） 薄膜均匀性：±5% （ 4英寸 ） 靶源：2个4英寸，4个2英寸。样品兼容4英寸及以下尺寸。 电源：具备RF(600W), DC 和 Pulse DC(1KW) 样品温度：0-500oC 工艺气体：Ar， O2， N2
主要功能：
电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴*靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子借助于靶表面上形成的正交电磁场，被束缚在靶表面特定区域，增强电离效率，增加离子密度和能量，从而实现高速率溅射。是制备低维度，小尺寸纳米材料器件的必备实验手段，广泛应用于集成电路，光子晶体，低维半导体等领域。
服务信息
服务内容：
溅射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW、Pd、Pt、Zn等金属薄膜，AlN、SiO2等介质薄膜
收费标准：
1200
用户须知：
每小时800元 60元/10nm贵金属
