标准简介
本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中间隙氧含量的测定。以常温红外设备测试时，氧含量（原子数）测试范围从1×1016 cm-3到硅中间隙氧的*大固溶度；以低温红外设备测试时，氧含量（原子数）的测试范围从0.5×1015 cm-3到硅中间隙氧的*大固溶度。英文名称：Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 1557-2006
中标分类：冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法
ICS分类：冶金>>77.040金属材料试验
发布部门：国家市场监督管理总局.
发布日期：2018-09-17
实施日期：2019-06-01
出版日期：2018-09-01
页数：12页
前言
半金属及半导体材料分析方法相关标准
