标准简介
本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。英文名称：Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 14144-1993
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
出版日期：2010-06-01
页数：12页
前言
本标准修改采用SEMIMF1188��1105《用红外吸收法测量硅中间隙氧原子含量的标准方法》。本标准与SEMIMF1188��1105相比,主要有如下不同:---增加了测量点选取方案;---标准编写按GB/T1.1格式,部分SEMI标准中的章节进行了合并和整理。本标准代替GB/T14144-1993《硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法》。本标准与原标准相比,主要有如下变化:---氧含量测量范围进行了修订;---增加了测量仪器、术语和干扰因素章节;---增加了采用经认证的硅中氧含量标准物质对光谱仪进行校准的内容;---将原标准中本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm 的硅晶体改为本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅单晶;---样品厚度范围修改为0.04cm~0.4cm。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。本标准主要起草人:杨旭、江莉。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:---GB/T14144-1993。
