标准简介
本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。英文名称：Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 1553-1997
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
出版日期：2010-06-01
页数：16页
前言
本标准代替GB/T1553-1997《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》。本标准与原标准相比,主要有如下变化:---新增加少子寿命值的测量下限范围;---删除了有关斩切光的内容;---本标准将GB/T1553-1997中第7章试剂和材料和第8章测试仪器并为第6章测量仪器;---本标准增加了术语章和体寿命的解释;---本标准在干扰因素章增加了对各干扰因素影响的消除方法。本标准的附录A 为规范性附录。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。本标准主要起草人:江莉、杨旭。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:---GB1553-1979、GB5257-1985、GB/T1553-1997。
