标准简介
本标准定性的提供了判定硅片基准切口是否满足标准限度要求的非破坏性测试方法。本方法的测试原理同样适用于其他切口尺寸的测量。本标准中物体平面尺寸为0.1mm 时,通过20倍的放大后会在投影屏上形成2.0mm 的影像,通过50倍放大后会产生5.0mm 的投影。本方法可以发现切口轮廓上的*小尺寸细节。本标准不提供切口顶端的曲率半径的测试。英文名称：Standard test method for dimensions of notches on silicon wafers
标准状态：现行
中标分类：冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2011-01-10
实施日期：2011-10-01
出版日期：2011-10-01
页数：12页
前言
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子股份有限公司。本标准主要起草人:杜娟、孙燕、卢立延、楼春兰。
