标准简介
本规范规定了2CW2970~3015型的型(标准*性)硅电压调整二*管(以下简称器件)的详细要求。该器件按GJB33〈〈半导体分立器件总规范〉〉的规定,提供产品保证的三企等级(GP,GT和GCT级).英文名称:Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon voltage regulate diodes for Types 2CW2970~3015
标准状态:现行
中标分类:矿业>>矿业综合>>D01技术管理
发布部门:中国电子工业总公司
发布日期:1992-11-19
实施日期:1993-05-01
出版日期:1993-04-01
页数:11页
前言
GB 6571-1986 小功率信号二*管、稳压及基准电压二*管测试方法GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸GJB 33-1985 半导体分立器件总规范GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法