标准简介
本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。英文名称：Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor for type 3DG182 GP,GT and GCT classes
标准状态：现行
中标分类：综合>>标准化管理与一般规定>>A01技术管理
发布部门：中国电子工业总公司
发布日期：1992-02-01
实施日期：1992-05-01
出版日期：1992-04-01
页数：11页
前言
GB 4587-1984 双*型晶体管测试方法GB 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸GJB 33-1985 半导体分立器件总规范GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
