标准简介
英文名称:Detail specification for electronic components-Silicon NPN case rated bipolar transistor for low-frequency amplification for Type 3DD313
标准状态:现行
替代情况:替代GB/T 10272-1988
中标分类:能源、核技术>>能源、核技术综合>>F01技术管理
发布日期:1991-04-08
实施日期:1991-07-01
作废日期:2010-01-20
页数:9页
前言
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