标准简介
本标 准 规 定了根据堆垛层错尺寸测量硅处延层厚度的方法本标 准 适 用于在<111>,tloo>和(110)晶向的硅单晶衬底仁生长的硅外延层厚度的测缝外延 层 中 应存在着发育完整的堆垛层错，其大小可用干涉相衬显微镜r:接观察(非破坏性的)，或经化学腐蚀后用金相显微镜观察(破坏性的)。测量范围为2^75 um.标准状态：作废
替代情况：被YS/T 23-2016代替
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：中国有色金属工业总公.
发布日期：1992-03-09
实施日期：1993-01-01
作废日期：2016-09-01
出版日期：1993-01-01
页数：3页
前言
半金属与半导体材料综合相关标准
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