GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法 现行

标准号：GB/T 36474-2018
中文标准名称：半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法
英文标准名称：Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)
标准状态：现行,发布于2018-06-07; 实施于2019-01-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2018-06-07
实施日期：2019-01-01
中国标准分类号：31.200
国际标准分类号：31.200
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门：工业和信息化部（电子）
起草单位：中国电子技术标准化研究院;上海高性能集成电路设计中心;成都华微电子科技有限公司;西安紫光国芯半导体有限公司;武汉芯动科技有限公司
相近标准：20154239-T-339 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法; 半导体集成电路 DDR3测试方法; 20192063-T-339 半导体集成电路 快闪存储器（FLASH）; 半导体集成电路 快闪存储器（FLASH）; GB/T 36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法; 20154240-T-339 半导体集成电路 快闪存储器测试方法; 半导体集成电路 快闪存储器测试方法; 半导体集成电路 串行NAND型快闪存储器接口规范; 半导体集成电路 串行NOR型快闪存储器接口规范; GB/T 17574.10-2003 半导体器件 集成电路 第2-10部分:数字集成电路 集成电路动态读/写存储器空白详细规范