GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 现行

标准号：GB/T 34481-2017
中文标准名称：低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
英文标准名称：Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
标准状态：现行,发布于2017-10-14; 实施于2018-07-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2017-10-14
实施日期：2018-07-01
中国标准分类号：77.040
国际标准分类号：77.040
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草单位：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;中科院半导体研究所;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
相近标准：20141872-T-469 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法; GB/T 5252-1985 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法; 20021940-T-610 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法; GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法; GB/T 5252-2020 锗单晶位错密度的测试方法; 20173474-T-610 锗单晶位错密度的测试方法; 锗单晶位错密度的测试方法; GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法; GB/T 8760-1988 砷化镓单晶位错密度的测量方法; 20021943-T-610 砷化镓单晶位错密度的测量方法