GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法 现行

标准号：GB/T 17170-2015
中文标准名称：半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
英文标准名称：Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
标准状态：现行,发布于2015-12-10; 实施于2016-07-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2015-12-10
实施日期：2016-07-01
中国标准分类号：77.040
国际标准分类号：77.040
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心;中国电子材料行业协会;天津市环欧半导体材料技术有限公司
全部替代标准：GB/T 17170-1997
相近标准：20120262-T-469 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法; GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法; GB/T 19199-2015 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法; GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法; 20120263-T-469 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法; GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法; 20173473-T-610 砷化镓单晶位错密度的测试方法; 砷化镓单晶位错密度的测试方法; GB/T 20228-2006 砷化镓单晶; 20181810-T-469 砷化镓单晶