GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 现行

标准号：GB/T 13389-2014
中文标准名称：掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
英文标准名称：Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon
标准状态：现行,发布于2014-12-31; 实施于2015-09-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2014-12-31
实施日期：2015-09-01
中国标准分类号：29.045
国际标准分类号：29.045
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草单位：有研半导体材料股份有限公司;中国计量科学研究院;杭州海纳半导体有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;四川新光硅业科技有限责任公司;浙江省硅材料质量检验中心;浙江金瑞泓科技股份有限公司
全部替代标准：GB/T 13389-1992
相近标准：GB/T 13389-1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程; 20110452-T-469 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程; GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法; 20060505-T-469 硅单晶电阻率测定方法; 20202829-T-469 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法; 20181809-T-469 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法; 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法; 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法; GB/T 12962-2015 硅单晶; 20011277-T-610 硅单晶