GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) 现行

标准号：GB/T 29332-2012
中文标准名称：半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT)
英文标准名称：Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)
标准状态：现行,发布于2012-12-31; 实施于2013-06-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2012-12-31
实施日期：2013-06-01
中国标准分类号：31.080.30;31.080.01
国际标准分类号：31.080.30;31.080.01
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门：工业和信息化部（电子）
起草单位：西安电力电子技术研究所;英飞凌科技（中国）有限公司;江苏宏微科技有限公司;西安爱帕克电力电子有限公司;威海新佳电子有限公司
采标情况：本标准等同采用IEC国际标准：IEC 60747-9:2007。
采标中文名称:半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBTs)。
相近标准：20030157-T-339 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双*晶体管(IGBT); 20200761-T-339 半导体器件 分立器件 第7部分：双*型晶体管; 半导体器件 第7部分：双*型晶体管; 20064065-T-339 半导体器件 第7部分:双*型晶体管; GB/T 7576-1998 半导体器件 分立器件 第7部分:双*型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双*型晶体管空白详细规范; GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管; 20061346-T-339 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管; GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双*型晶体管; GB/T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分:双*型晶体管 **篇 高低频放大环境额定的双*型晶体管空白详细规范; 半导体器件 关于MOS晶体管的热载流子试验