GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 现行

百检网 2021-05-26
标准号:GB/T 26070-2010
中文标准名称:化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
英文标准名称:Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method
标准状态:现行,发布于2011-01-10; 实施于2011-10-01; 废止
标准类型:国家标准
标准性质:推荐性
发布日期:2011-01-10
实施日期:2011-10-01
中国标准分类号:77.040.99
国际标准分类号:77.040.99
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门:国家标准化管理委员会
起草单位:中国科学院半导体研究所
相近标准:20081117-T-469 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法; GB/T 35007-2018 半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法; 20154229-T-339 半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法; 半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法; SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法; GB/T 31359-2015 半导体激光器测试方法; 20112015-T-604 半导体激光器测试方法; 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法; 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法; 20030010-T-303 稀土金属及其化合物物理性能测试方法 稀土化合物比表面积的测定

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