GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 现行

标准号：GB/T 14847-2010
中文标准名称：重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
英文标准名称：Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
标准状态：现行,发布于2011-01-10; 实施于2011-10-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2011-01-10
实施日期：2011-10-01
中国标准分类号：29.045
国际标准分类号：29.045
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草单位：宁波立立电子股份有限公司;信息产业部专用材料质量监督检验中心
全部替代标准：GB/T 14847-1993
相近标准：20081146-T-469 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法; GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法; 20204893-T-469 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法; 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法; GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法; 20021942-T-610 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法; GB/T 8758-1988 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法; GB/T 33826-2017 玻璃衬底上纳米薄膜厚度测量 触针式轮廓仪法; 20068673-T-491 玻璃衬底上纳米薄膜厚度测量 触针式轮廓仪法; YS/T 14-2015 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法