GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法 现行

标准号：GB/T 26066-2010
中文标准名称：硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
英文标准名称：practice for shallow etch pit detection on silicon
标准状态：现行,发布于2011-01-10; 实施于2011-10-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2011-01-10
实施日期：2011-10-01
中国标准分类号：29.045
国际标准分类号：29.045
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司
相近标准：20081129-T-469 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法; GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法; 20091221-T-469 碳化硅单晶片直径测试方法; SY/T 0026-1999 水腐蚀性测试方法; GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法; 20120289-T-469 碳化硅单晶片平整度测试方法; DB61/T 1276-2019 锅炉低温腐蚀烟气酸露点测试方法; GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法; 20091225-T-469 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法; GB/T 32026-2015 镀银玻璃镜 耐环境腐蚀的测试方法