GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法 现行

标准号：GB/T 1551-2009
中文标准名称：硅单晶电阻率测定方法
英文标准名称：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon
标准状态：现行,发布于2009-10-30; 实施于2010-06-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
中国标准分类号：29.045
国际标准分类号：29.045
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心;中国电子科技集团公司第四十六研究所
全部替代标准：GB/T 1551-1995,GB/T 1552-1995
采标情况：本标准修改采用其他国际标准：SEMI MF 84-1105、SEMI MF 397-1106。
采标中文名称:硅片电阻率测定四探针法、硅棒电阻率测定两探针法。
相近标准：20060505-T-469 硅单晶电阻率测定方法; 20181809-T-469 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法; 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法; GB/T 24521-2009 焦炭电阻率测定方法; 20074188-T-605 焦炭电阻率测定方法; 20202829-T-469 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法; 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法; GB/T 16427-2018 粉尘层电阻率测定方法; GB/T 16427-1996 粉尘层电阻率测定方法; 20091194-T-450 粉尘层电阻率测定方法