GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范 现行

标准号：GB/T 6219-1998
中文标准名称：半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 **篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
英文标准名称：Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
标准状态：现行,发布于1998-11-17; 实施于1999-06-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：1998-11-17
实施日期：1999-06-01
中国标准分类号：31.080.30
国际标准分类号：31.080.30
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门：工业和信息化部（电子）
起草单位：电子工业部标准化研究所
全部替代标准：GB 6219-1986
采标情况：本标准等同采用IEC国际标准：IEC 747-8-1:1987
QC 750112。
采标中文名称:。
相近标准：GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管; 20061346-T-339 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管; GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二*管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范; 20030156-T-339 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二*管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范; GB/T 15449-1995 管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范; SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范; 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的自由离子试验; 20210839-T-339 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的温度偏置稳态试验; 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的温度偏置稳态试验; GB/T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 **篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三*闸流晶体管空白详细规范