GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 现行

百检网 2021-05-26
标准号:GB/T 4586-1994
中文标准名称:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
英文标准名称:Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors
标准状态:现行,发布于1994-12-30; 实施于1995-08-01; 废止
标准类型:国家标准
标准性质:推荐性
发布日期:1994-12-30
实施日期:1995-08-01
中国标准分类号:31.080
国际标准分类号:31.080
归口单位:全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位:全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门:工业和信息化部(电子)
起草单位:电子工业部标准化研究所
全部替代标准:GB 4586-1984
采标情况:本标准等同采用IEC国际标准:IEC 747-8:1984。
采标中文名称:。
相近标准:20061346-T-339 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管; GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 **篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范; 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的自由离子试验; GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二*管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范; 20030156-T-339 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二*管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范; 20210839-T-339 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的温度偏置稳态试验; 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的温度偏置稳态试验; SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范; GB/T 15449-1995 管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范; 20200761-T-339 半导体器件 分立器件 第7部分:双*型晶体管

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