标准号：ASTM F996-1998
中文标准名称：利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
英文标准名称：Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics
标准类型：L42
发布日期：1999/12/31 12:00:00
实施日期：1999/12/31 12:00:00
中国标准分类号：L42
国际标准分类号：31.080.30 (Transistors)
ASTM F996-1998 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
百检网 2021-07-16
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