GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法

百检网 2021-07-19

标准号：GB/T 1551-2009
中文标准名称：硅单晶电阻率测定方法
英文标准名称：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicom
标准类型：H80
发布日期：2009/10/30 12:00:00
实施日期：2010/6/1 12:00:00
中国标准分类号：H80
国际标准分类号：29.045
适用范围：本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的*近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶电阻率有及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距的4倍的单晶圆片的电阻率。本方法可测定的硅单晶电阻率范围为1×10

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