20063926-T-339 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法已发布

百检网 2021-07-29

标准号：20063926-T-339
中文标准名称：用栅控和非栅控二*管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
英文标准名称：Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
标准状态：已发布
标准类型：国标计划
发布日期：1999/12/31 12:00:00
实施日期：1999/12/31 12:00:00
中国标准分类号：中国电子科技集团公司第四十六研究所
国际标准分类号：29.045
归口单位：工业和信息化部（电子）
主管部门：工业和信息化部（电子）
起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心
起草人：董颜辉
相近标准：GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二*管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法;20021944-T
标准制修订：修订

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