GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

标准号：GB/T 13388-2009
中文标准名称：硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
英文标准名称：Method for measuring crystallographic orientation of flats on single-crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques
标准类型：H80
发布日期：2009/10/30 12:00:00
实施日期：2010/6/1 12:00:00
中国标准分类号：H80
国际标准分类号：29.045
引用标准：GB/T 1555;GB/T 2828.1;GB/T 12964;GB/T 12965;GB/T 14264;ASTM E82;DIN 50433.3
适用范围：本标准规定了a角的测量方法，a角为垂直于圆型硅片基准参考平面的晶向与硅片表面参考面间角。本标准适用于硅片的参考面长度范围应符合GB／T 12964和GB／T 12965中的规定，且硅片角度偏离应在-5º到+5º范围之内。 由本标准测定的晶向精度直接依赖于参考表面与基准挡板的匹配精度和挡板与相对于的x射线的取向精度。本标准包含如下两种测试方法：测试方法1-X射线边缘衍射法测试方法2-劳厄背反射X射线法 测试方法1是非破坏性的，为了使硅片**的相对于X射线测角器定位，除了使用特殊的硅片夹具外，与GB／T 1555测试方法1类似。与劳厄背反射法相比，该技术测量参考面的晶向能得到更高的精度。方法2也是非破坏性的，为了使参考面相对于X射线束定位，除了使用“瞬时”底片和特殊夹具外，与ASTM E82和DIN 50433测试方法第3部分类似。虽然方法2更简单快速，但不具有方法l的精度，因为其使用的仪器和夹具装置精确度较低且成本较低。方法2提供了一个测量的永久性底片的记录。 注：解释Laue照片可以获得硅片取向误差的信息。然而这超出了测试方法的范围。愿意进行这种解释的用户，可 以参阅ASTM E82和DIN50433测试方法第3部分或标准的X射线教科书。由于可以使用不同的夹具，方法2也适用于硅片表面取向的测定。本标准中的数值均以公制为单位，英制单位的数值放在括号内仅作为信息提供。 注：本标准不涉及安全问题，即使有也与标准的使用相联系。标准使用前，建立合适的安全和保障措施以及确定规章制度的廊用范围是标准使用者的责任。