OBIRCH
作为一种新型的高分辨率微观缺陷定位技术，能够在大范围内迅速准确地进行器件失效缺陷定位，基本上，只要有
原理：用激光束在通电恒压下的LED芯片表面进行扫描，激光束部分能量转化为热能，如果LED芯片存在缺陷点，缺陷处温度将无法迅速通过金属线传导散开，这将导致缺陷处温度累计升高，并进一步引起金属线电阻以及电流变化，通过变化区域与激光束扫描位置的对应，定位缺陷位置。该方法常用于LED芯片内部高阻抗及低阻抗分析，芯片漏电路径分析。
金鉴实验室LED芯片失效点分析(Obirch+FIB+SEM)检测报告！
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