详细信息
主要技术指标：
1.电子束系统分辨率：0.9nm（15kv）/1.4nm（1kv） 2.离子束系统分辨率：在束交叉点：4.5nm@30kV（统计测量法） 在束交叉点：2.5nm@30kV（单边测量法） 3.电子束加速电压：350V-30kV 4.离子束加速电压：0.5-30kV 5.电子束流：≤22nA 6.离子束流：1pA ？C 65nA
主要功能：
纳米级加工及观测研究。
服务信息
服务内容：
1. 截面样品加工； 2. 截面或平面TEM样品的制备； 3. 利用FIB进行各种材料的APT样品制备； 4. SEM里面的拉伸以及微纳米柱子样品制备，TEM里面的拉伸以及纳米柱子样品制备； 5. TEM 里面的加热以及电性测试样品制备，如兼容DENS，Protochips样品杆的TEM样品； 6. 利用FIB进行复杂图形的加工，以及小尺寸纳米结构的加工 7. 透射EBSD样品制备(TKD)，特别是10nm的晶粒的样品
收费标准：
2000
用户须知：
1. 实验前请与老师电话或是邮件沟通； 2. 样品务必保持清洁。
