详细信息
主要技术指标：
1. 生长晶体尺寸：晶体直径为30  60 mm范围，晶体长度为200 mm。 2. 晶体生长炉温度场： <1> 晶体生长炉分为三部分加热，上、下区采用电阻加热模式，中间区采用高频感应加热模式。 <2> 中间高频感应区域为晶体生长区。上、下电阻加热区域分别为晶体预热区和晶体退火区，高度都为300 cm。 <3> 晶体生长过程的溶解面和结晶面的温度范围为600 ℃~1000 ℃。 <4> 晶体的溶解面和结晶面的温度梯度范围为0~60 ℃/cm。 <5> 溶剂区高度范围为20~60 mm。 <6> 晶体生长炉膛内部温场稳定，径向温度梯度 ±0.5 ℃。 <7> 三部分加热区域模块化，便于安装拆卸、维修调整。
主要功能：
移动加热器晶体生长设备还可以开展化合物半导体的晶体生长研究，如CdZnTe、ZnSe、ZnTe、HgI2、CdMnTe、HgCdTe、GaSb等。
服务信息
服务内容：
可以开展化合物半导体的晶体生长研究
收费标准：
20000
用户须知：
按照学校共享规定
