详细信息
主要技术指标：
正胶：光刻胶敏感波长365nm；负胶： 光刻胶敏感波长400nm；可以进行背面对准光刻工艺；*小线宽：0.8um；套准精度±0.5um。
主要功能：
可以开展标准的光刻工艺。主要应用于半导体器件、材料、高分子、化学、生物、石墨烯、复杂氧化物等领域。
服务信息
服务内容：
曝光图形转移
收费标准：
600元/小时
用户须知：
按照上海市规定对外共享
