等离子体增强物理化学气相原子层沉积系统

主要技术指标：

*高工作温度：1200℃（＜1小时）连续工作温度：1100℃加热区长度：400mm恒温区长度:200mm炉管旋转速度：0-10RPM（可调）ALD阀脉冲时间：10mS气路：4路进气流量范围: 一路: 0~100 SCCM 二路: 0~200 SCCM 三路: 1~200 SCCM 四路: 1~500 SCCM真空计：采用隔膜规与皮拉尼复合真空计（测量范围：3.8x10-5-1125 Torr）系统内部带有一物理蒸发系统，其加热温度可达1000℃等离子发射源功率：300W等离子发射源频率：13.56MHz配有气液混合装置可将液体源气化通入到反应腔中

主要功能：

此套完整的设备系统特别适合用于无机复合粉末的热处理以及粉末表面的均匀包覆

服务内容：

各种半导体薄膜制备电池材料制备磁性材料制备

收费标准：

500/小时

用户须知：

按学校学院收费标准执行，需管理员认可