场效应晶体管是什么？

　　场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（108~109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双*型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

　　作用

　　1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

　　2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

　　3.场效应管可以用作可变电阻。

　　4.场效应管可以方便地用作恒流源。

　　5.场效应管可以用作电子开关。

　　场效应管与晶体管的比较：

　　（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

　　（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单*型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双*型器件。

　　（3）有些场效应管的源*和漏*可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

　　（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。