半导体破坏性检测方法

在常规半导体检测中，有时还采用破坏性的方法(如测PN结深度、键合强度等)，较多的则属非破坏性测试。但是即使采用非破坏性的检测方法，一般也不在半导体器件和集成电路的半成品或在制品上进行直接测量。

其原因是：

(1)避免由于工艺检测引进损伤和沾污;

(2)从半导体器件和集成电路的现成结构上一般难以直接进行所需的工艺半导体检测项目。特别是当集成电路的集成密度增加、图形更加精细时，更难从测量集成电路芯片直接判断工艺中存在的问题。

因此，需要采用专门的测试样片进行测试。这些测试样片有的用于检验单项工艺步骤，有的则要经受几步连续工艺甚至完成全部工序之后才能进行测试检验。除了根据需要采用专门的测试样片之外，在用于加工正式产品的晶片内部，也在芯片图形之间以适当布局穿插一些包含各种测试结构的测试芯片，或在每个正式芯片的边角位置配置少量测试结构。

这些半导体检测的测试结构都是和正式芯片一起经历着完全相同的工艺步骤。从这些测试结构的测量中，可以较为可靠地了解到在同一晶片上所有芯片工艺控制的基本情况。