标准简介
本标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处理程序、试验步骤、数据计算等内容。本标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。英文名称：Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction
标准状态：现行
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H26金属无损检验方法
ICS分类：电气工程>>绝缘流体>>29.040.01绝缘流体综合
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2004-02-05
实施日期：2004-07-01
出版日期：2004-07-01
页数：16开， 页数：5， 字数：9千辽
前言
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