标准简介
本标准规定了离子束蚀刻机的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输、贮存。 本 标准适用于物理溅射腐蚀作用的通用离子束蚀刻机。其他专用离子束蚀刻机亦可参照执行。英文名称：General specification of ion beam etching system
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 15861-1995
中标分类：电子元器件与信息技术>>电子工业生产设备>>L97加工专用设备
ICS分类：31-550
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2012-11-05
实施日期：2013-02-15
出版日期：2013-02-15
页数：16页
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准代替GB/T15861—1995《离子束蚀刻机通用技术条件》。本标准与GB/T15861—1995相比主要变化如下:———GBn193—1983由GB/T13384—1992代替,SJ2573—1985由SJ/T10674—1995代替;———环境温度调整为20℃±10℃[见5.1a)];———束能量范围调整为0~2000eV,可调(见5.4.1);———表1中束流密度0.5mA/cm2 调整为≥0.3mA/cm2,1mA/cm2 调整为0.8mA/cm2(见表1);增加束能量为2000eV 时束流密度≥1mA/cm2(见表1);———有效束径规格增加了.50和.100两种,去掉了.60(见5.4.4);———中和方式增加了“电子源中和器”(见5.4);———对束流密度检测方法进行了更清楚的表述(见6.4.2);———“膜厚均匀性为±5%的蚀刻样片”改为“膜厚均匀性优于±2%、厚度2μm、制备了掩膜图案的蚀刻样片”(见6.4.10);———检验规则去掉例行检验项(见7);———增加包装前检查的条款(见8.2.1)。本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。本标准由中国电子技术标准化研究所归口。本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十八研究所。本标准主要起草人:陈特超、周大良。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:———GB/T15861—1995。
