标准简介
本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。英文名称：Electronic-grade polycrystalline silicon
标准状态：现行
替代情况：替代GB/T 12963-2009
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2014-12-31
实施日期：2015-09-01
出版日期：2015-09-01
页数：8页
前言
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准代替 GB/T12963—2009《硅多晶》。本标准与 GB/T12963—2009相比,主要有如下变动:———增加引用国家标准 GB/T1551、GB/T1557、GB/T24574、GB/T24581、GB/T24582(见第2章);———增加了多晶硅的技术参数,包括施主杂质浓度、受主杂质浓度、氧浓度、基体金属杂质浓度、表面金属杂质浓度的要求(见表1);———不同等 级 多 晶 硅 的 碳 浓 度 由 <1.5×1016atoms/cm3、<2×1016 atoms/cm3、<2×1016atoms/cm3修订为<4.0×1015atoms/cm3、<1.0×1016atoms/cm3、<1.5×1016atoms/cm3(见表1)。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位:峨嵋半导体材料研究所、四川新光硅业科技有限责任公司、有研半导体材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、新特能源股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司。本标准起草人:詹科、杨旭、种娜、黎亚文、梁洪、孙燕、刘晓霞、银波、甘新业、严大洲。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:———GB/T12963—1991、GB/T12963—1996、GB/T12963—2009。
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