标准简介
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2~3μm的薄层，测量范围为250~5000Ω；对于厚度不小于3μm的薄层，薄层电阻的测量下限可达10Ω。英文名称：Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
标准状态：作废
替代情况：被GB/T 14141-2009代替
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
ICS分类：29.040.30
发布部门：国家技术监督局
发布日期：1993-02-06
实施日期：1993-10-01
作废日期：2010-06-01
页数：平装16开， 页数：6， 字数：9千字
前言
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