标准简介
本标准规定了用直排四探针方法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于硅片厚度小于探针平均间距。英文名称：Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
标准状态：作废
替代情况：被GB/T 11073-2007替代
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
ICS分类：29.040.30
发布部门：国家技术监督局
发布日期：1989-03-31
实施日期：1990-02-01
作废日期：2008-02-01
页数：14页
前言
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