标准简介
本标准规定了用直排四探针测量硅、锗单晶电阻率的方法。本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的*近距离二者均大于探针间距的4倍的硅、锗单晶的体电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍的硅、锗单晶圆片（简称圆片）的电阻率。英文名称：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon and germanium with a collinear four-probe array
标准状态：作废
替代情况：替代GB 1552-1979;GB 5251-1985;GB 6615-1986;被GB/T 1551-2009代替
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
ICS分类：冶金>>金属材料试验>>77.040.30金属材料化学分析
发布部门：国家技术监督局
发布日期：1995-04-18
实施日期：1995-01-02
作废日期：2010-06-01
页数：平装16开， 页数：17， 字数：29千字
前言
金属物理性能试验方法相关标准
