标准简介
本标准规定了硅和外延片表面Na、Al、K 和Fe的二次离子质谱检测方法。本标准适用于用二次离子质谱法(SIMS)检测镜面抛光单晶硅片和外延片表面的Na、Al、K 和Fe每种金属总量。本标准测试的是每种金属的总量,因此该方法与各金属的化学和电学特性无关。 本标准适用于所有掺杂种类和掺杂浓度的硅片。 本标准特别适用于位于晶片表面约5nm 深度内的表面金属沾污的测试。 本标准适用于面密度范围在(109~1014)atoms/cm2 的Na、Al、K 和Fe的测试。本方法的检测限取决于空白值或计数率*限,因仪器的不同而不同。英文名称：Test method for measuring surface sodium,aluminum,potassium,and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry
标准状态：现行
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
出版日期：2010-06-01
页数：12页
前言
本标准修改采用SEMIMF1617-0304《二次离子质谱法测定硅和硅外延衬底表面上钠、铝和钾》。本标准对SEMIMF1617-0304格式进行了相应调整。为了方便比较,在资料性附录B中列出了本标准章条和SEMIMF1617-0304章条对照一览表。并对SEMI1617��0304条款的修改处用垂直单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。本标准与SEMIMF1617-0304相比,主要技术差异如下:---去掉了目的、关键词。---将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分,并将原标准中的精度和偏差部分作为资料性附录A。本标准的附录A 和附录B为资料性附录。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。本标准主要起草人:何友琴、马农农、丁丽。
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