标准简介
本标准规定了带电粒子半导体探测器电特性和核辐射性能的测试方法以及某些特殊环境的试验方法。本标准适用于探测带电粒子的部分耗尽金硅面垒型、锂漂移金硅面垒型和表面钝化离子注入平面硅型等半导体探测器。全耗尽金硅面垒型探测器的某些性能测试也应参照本标准执行。英文名称：Test procedures for semiconductor charged particle detectors
标准状态：作废
替代情况：GB 5201-1985;被GB/T 5201-2012代替
中标分类：能源、核技术>>核仪器与核探测器>>F80核仪器与核探测器综合
ICS分类：计量学和测量、物理现象>>17.240辐射测量
发布部门：国家技术监督局
发布日期：1994-01-02
实施日期：1995-10-01
作废日期：2012-11-01
页数：平装16开， 页数：17， 字数：29千字
前言
核仪器与核探测器综合相关标准
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