标准简介
本标准规定了用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定硅外延用三氯氢硅(SiHCl3)中硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷、锑等痕量元素含量的方法。本标准适用于硅外延用三氯氢硅(SiHCl3)中硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷、锑等含量的测定。英文名称:Trichlorosilane for silicon epitaxy—Determination of boron,aluminium,phosphorus,vanadium,chrome,manganese,iron,cobalt,nickel,copper,arsenic,molybdenum and antimony content—Inductively coupled plasma mass spectrometric method
标准状态:现行
中标分类:电子元器件与信息技术>>电子设备专用材料、零件、结构件>>L90电子技术专用材料
ICS分类:31.030
发布部门:国家质量监督检验检疫.
发布日期:2012-12-31
实施日期:2013-10-01
出版日期:2013-10-01
页数:12页
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。本标准起草单位:南京中锗科技股份有限公司、南京大学现代分析中心、南京大学国家863计划新材料MO 源研究开发中心。本标准主要起草人:郑华荣、刘新军、龚磊荣、张莉萍、黄和明、陈逸君、虞磊。