标准简介
本标准规定了利用高分辨X射线衍射仪测试Ⅲ族氮化物外延片结晶质量的方法原理、仪器、测试环境、样品、测试、测试结果的分析、精密度以及测试报告。 本标准适用于在氧化物衬底（Al2O3、ZnO等）或半导体衬底（GaN、Si、GaAs、SiC等）上外延生长的氮化物(Ga、In、Al)N单层或多层异质外延片结晶质量的测试。其他异质外延片结晶质量的测试也可参考本标准。英文名称：Test method for crystal quality of Ⅲ-nitride epitaxial layers
标准状态：现行
中标分类：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
ICS分类：冶金>>金属材料试验>>77.040.20金属材料无损检测
发布部门：国家质量监督检验检疫.
发布日期：2014-12-31
实施日期：2015-09-01
出版日期：2015-09-01
页数：12页
前言
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位:中国科学院半导体研究所。本标准主要起草人:孙宝娟、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽。
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