标准简介
本标准规定了太阳能级多晶硅锭、硅片的晶体缺陷密度测定方法，包含方法概要、试剂和材料、仪器和设备、试样制备、测试步骤、数据处理、精密度、干扰因素和报告。�� 本标准适用于太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度的测定。英文名称：Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer
标准状态：现行
中标分类：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：电气工程>>29.045半导体材料
发布日期：2018-12-28
实施日期：2019-04-01
出版日期：2019-01-01
页数：12页
前言
半金属与半导体材料综合相关标准
