标准简介
本规范规定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。英文名称：Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of Types 3DG3439 and 3DG3440
标准状态：现行
中标分类：矿业>>矿业综合>>D01技术管理
发布部门：中国电子工业总公司
发布日期：1992-11-19
实施日期：1993-05-01
出版日期：1993-04-01
页数：12页
前言
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